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Uma esfera metálica de massa 10 gramas, carregada eletricamente com uma carga de 150 milicoulombs, está suspensa verticalmente por uma mola, de material dielétrico e com constante elástica de 200 N/m. Embaixo dessa esfera, a uma distância de 40 cm, está uma superfície metálica carregada eletricamente que possui um campo elétrico de 55 N/C, o qual atua sobre a esfera, atraindo-a. Assinale a alternativa que indica a variação (alongamento) da mola (considerar g = 9,8 m/s2 ).
Uma esfera imóvel possui uma carga elétrica negativa Q1. A uma distância d, encontra-se outra esfera, com carga positiva Q2, que sofre uma força de atração F em relação à primeira esfera. Em seguida, duplicou-se a carga Q1, triplicou-se a Q2 e dobrou-se a distância d. Assinale a alternativa que corresponde à nova força de atração entre as duas esferas.
Uma corrente constante i atravessa um trecho de um circuito em que há apenas um resistor de resistência R, e dissipa, por efeito Joule, uma potência P1 . Suponhamos que o resistor seja substituído por um de resistência R/2 e que a corrente passe a ter um valor constante 2i. Representando por P2 a potência dissipada por efeito Joule nessa nova situação, a razão P2 / P1 é igual a:
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Se F1 é o módulo da força eletrostática que a carga que está na origem exerce sobre a que tem coordenada x = a, e F2 é a força que a carga que está na origem exerce sobre a que tem coordenada x = 2a, então a razão F1 /F2 é igual a:
Os materiais semicondutores são de grande importância para a eletrônica moderna. Em particular, o sucesso dos semicondutores intrínseco se deve a uma propriedade elétrica que é controlada de forma apropriada em laboratório pela adição de impurezas. Que propriedade é essa?
